[发明专利]电熔丝、半导体装置和断开电熔丝的方法

说明书

该申请基于日本专利申请No.2008-145769，其内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种电熔丝、半导体装置以及断开电熔丝的方法。

背景技术

已公知的技术是：将熔丝预先安装在半导体装置上，以及断开或熔断熔丝以便调节用于半导体装置的电阻器的电阻，或者断开任何缺陷元件并且用正常的元件替换它们。

已知的断开熔丝的方法包括将激光照射到每个熔丝的一部分的方法和允许电流从其流过的方法。

日本特开专利公布No.2007-266061描述了被构造成在多晶硅层上具有硅化物层的电熔丝(e-熔丝)，其中，与接触区域相邻的周边部分的一部分通过非硅化物区来构造。由于金属原子可以通过电迁移而移动到非硅化物区中，使得描述为：可以防止使以前通过电迁移断开的电熔丝回流。

日本特开专利公布No.2007-73576描述了一种熔丝元件，该熔丝元件允许在断开之后，组成在硅层上方形成的金属硅化物层的金属材料的至少一部分移动到一个接触部分侧，并且允许另一接触部分与硅层连接。

根据日本特开专利公布No.2007-266061中描述的方法，只通过轻微的电迁移来断开硅化物层，使得该方法正是断开硅化物层同时保持接触与硅化物层彼此连接的方法。因此，该方法仅在熔丝断开之前和之后的状态之间使电阻产生小的变化，并仅仅只对有限的精度进行调节。另一方面，日本特开专利公布No.2007-73576描述了这样一种构造，该构造允许在断开之后接触与硅层连接。由于在断开之前，该构造中的接触与硅化物层连接，并且在断开之后，该构造中的接触与硅层连接，使得可以假定在断开之前和断开之后的状态之间，熔丝的电阻的变化增大。然而，日本特开专利公布No.2007-73576中描述的方法仍然正是允许组成硅化物层的金属材料通过轻微的电迁移仅引起断开窄的部分，使得可以预期由于硅化物层的迁移而导致断开部分恢复连接的方法。因此，该构造也已经遇到只有有限的调节精确度的问题。

发明内容

根据本发明，提供了一种电熔丝，所述电熔丝包括：多晶硅层；硅化物层，其形成在多晶硅层的上方；以及第一金属接触和第二金属接触，其布置在硅化物层的上方，同时彼此分隔开，电熔丝被构造为，在断开之前，第一金属接触和第二金属接触连接到硅化物层，并且在断开之后，从第二金属接触正下方的区域以及从第二金属接触和第一金属接触之间的区域中排除硅化物层。

根据本发明，还提供了一种包括电熔丝的半导体装置，所述半导体装置包括衬底；多晶硅层，其形成在衬底上方；硅化物层，其形成在多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，其布置在硅化物层上方，同时彼此分隔开，所述电熔丝被构造成使得：在断开之前，第一金属接触和第二金属接触连接到硅化物层，并且在断开之后，从第二金属接触正下方的区域以及从第二金属接触和第一金属接触之间的区域排除硅化物层。

根据本发明，又提供了一种断开电熔丝的方法，所述电熔丝包括多晶硅层；硅化物层，其形成在多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，其布置在硅化物层上方，同时彼此分隔开，所述方法包括：允许电流在第一金属接触和第二金属接触之间流动，以便引起硅化物层从第二金属接触正下方的区域以及从第二金属接触和第一金属接触之间的区域向第一金属接触的迁移，由此从第二金属接触正下方的区域以及从第二金属接触和第一金属接触之间的区域排除硅化物层。

在此的电熔丝被构造为通过允许电流在第一金属接触和第二金属接触之间流动来断开，结果，硅化物层从第二金属接触正下方的区域向第一金属接触迁移以便使硅化物层自身从第二金属接触正下方的区域排除，并且结果，硅化物层填充到第一金属接触正下方的区域。硅化物层还迁移到在第一金属接触正下方的区域之外、远离第二金属接触的位置，以便还使硅化物层自身从第一金属接触和第二金属接触之间的区域排除。因而，从第二金属接触的位置来看，硅化物层迁移成远远在第一金属接触之外。

根据这种构造，可以使断开之前和断开之后的状态之间的熔丝的电阻变化更有区别性，并且可以减小再连接的可能性，使得可以以更精确的方式来判断熔丝断开的状态。

还注意的是，在方法、装置等之中的本发明的上述组成的任意组合以及本发明的表述的任意互换可以有效地作为本发明的实施例。

根据本发明，可以以精确的方式来判断熔丝的断开状态。

附图说明

从下面结合附图对特定优选的实施例进行的描述，使本发明的以上和其他目的、优点和特征更显而易见，其中：

图1是示出本发明的一个实施例的半导体装置的构造的截面图；