[发明专利]电熔丝、半导体装置和断开电熔丝的方法

权利要求书

1.一种电熔丝，包括：

多晶硅层；

硅化物层，形成在所述多晶硅层上方；以及

第一金属接触和第二金属接触，布置在所述硅化物层上方，同时彼此分隔开，

所述电熔丝被构造为，在断开之前，所述第一金属接触和所述第二金属接触连接到所述硅化物层，以及

在断开之后，所述硅化物层被从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的整个区域排除。

2.根据权利要求1所述的电熔丝，被构造为：在断开之后，所述第二金属接触与所述硅化物层断开的同时，连接到所述多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的电熔丝，被构造为：在断开之后，所述第二金属接触与所述硅化物层和所述多晶硅层电气断开。

4.根据权利要求1所述的电熔丝，被构造为：所述电熔丝在断开之后的电阻是在断开之前的电阻的1×10²倍或更大。

5.根据权利要求2所述的电熔丝，被构造为：所述电熔丝在断开之后的电阻是在断开之前的电阻的1×10²倍或更大。

6.根据权利要求3所述的电熔丝，被构造为：所述电熔丝在断开之后的电阻是在断开之前的电阻的1×10²倍或更大。

7.一种包括电熔丝的半导体装置，所述半导体装置包含衬底；多晶硅层，形成在所述衬底上方；硅化物层，形成在所述多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，布置在所述硅化物层上方同时彼此分隔开，

所述电熔丝被构造为，在断开之前，所述第一金属接触和所述第二金属接触连接到所述硅化物层，以及

在断开之后，所述硅化物层被从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的整个区域排除。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

还包括判断电路，所述判断电路判断所述电熔丝是否断开，

其中，如果断开之后的电阻是断开之前的电阻的1×10²倍或更大，则所述判断电路判断所述电熔丝断开。

9.一种断开电熔丝的方法，所述电熔丝包括多晶硅层；硅化物层，形成在所述多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，布置在所述硅化物层上方同时彼此分隔开，所述方法包括：

允许电流在所述第一金属接触和所述第二金属接触之间流动，以便引起所述硅化物层从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的区域向所述第一金属接触迁移，由此将所述硅化物层从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的整个区域排除。

10.根据权利要求9所述的断开电熔丝的方法，其中，在允许电流在所述第一金属接触和所述第二金属接触之间流动的所述步骤中，作为所述硅化物层从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的区域向所述第一金属接触迁移，以填充到所述第一金属接触正下方的区域中的结果，所述电熔丝断开。