[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910141082.0 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101752336A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张宏宾;许国经;陈承先;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/58 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，包括用于叠置芯片的凸块结构。在一半导体基底内形成硅通孔电极。对半导体基底的背侧进行薄化，以露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧及硅通孔电极的露出部分上方形成一隔离层。对隔离层进行薄化，以再次露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧形成焊垫及重布线，以电性连接硅通孔电极。形成另一隔离层并进行图案化，再形成一阻挡层，以提供接触接垫来连接外部装置，例如，另一芯片/晶片或电路板。本发明解决了现有技术存在的问题，易于在热预算内形成重布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一半导体基底；多个硅通孔电极，延伸穿过该第一半导体基底，且所述多个硅通孔电极突出于该第一半导体基底的一背侧；一第一隔离层，位于相邻的所述多个硅通孔电极之间该第一半导体基底的该背侧，且该第一隔离层未延伸超过所述多个突出的硅通孔电极；一导电部件，具有一渐细侧壁且电性耦接至所述多个硅通孔电极中的至少一个；以及一第二隔离层，位于该第一隔离层上以及一部分的该导电部件上。
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