[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一半导体基底；

多个硅通孔电极，延伸穿过该第一半导体基底，且所述多个硅通孔电极 突出于该第一半导体基底的一背侧；

一第一隔离层，位于相邻的所述多个硅通孔电极之间该第一半导体基底 的该背侧，且该第一隔离层未延伸超过所述多个突出的硅通孔电极；

一具有渐细侧壁的导电部件，电性耦接至所述多个硅通孔电极中的至少 一个；以及

一第二隔离层，位于该第一隔离层上以及一部分的该导电部件上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电部件包括一重布线，而 该第二隔离层位于至少一部分的该重布线上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一隔离层的材料不同于该 第二隔离层的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一接触阻挡层，位于至少一 部分的该导电部件上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一衬层，沿着所述多个硅通 孔电极的侧壁，且该衬层未延伸超过该第一隔离层的一上表面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

一接触阻挡层，位于该导电部件上；

一第二半导体基底，具有一上金属接点；以及

一导电连接部件，夹设于该接触阻挡层与该上金属接点之间，且向下延 伸至该导电部件的该渐细侧壁。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一第一半导体基底，该第一半导体基底具有一硅通孔电极自该第一 半导体基底的一第一侧延伸于其内，

在该第一半导体基底的一第二侧露出该硅通孔电极；

沿着该第一半导体基底的该第二侧形成一第一隔离层，且使该硅通孔电 极露出；

在该硅通孔电极上形成一具有渐细侧壁的导电部件；

在该第一隔离层上形成一第二隔离层，其中该第一隔离层的材料不同于 该第二隔离层的材料；以及

在该导电部件的至少一部分上形成一接触阻挡层。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中形成该导电部件包 括使用具有凹口的掩模图案层作为形成该导电部件的模具。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中露出该硅通孔电极 包括蚀刻该第一半导体基底至低于该硅通孔电极的一表面，使该硅通孔电极 突出于该第一半导体基底。

10.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该硅通孔电极突出 于该第一隔离层。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中形成该导电部件包 括：

在该第一隔离层及该硅通孔电极上方形成一晶种层；

在该晶种层上形成一掩模图案层，该掩模图案层具有多个凹口而露出位 于该硅通孔电极上方的该晶种层；

在该晶种层的露出部分上形成一金属接垫；

去除该掩模图案层；以及

去除未被该金属接垫覆盖的该晶种层。

12.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一第一半导体基底，其具有多个硅通孔电极自该第一半导体基底的 一电路侧延伸至该第一半导体基底的一背侧以及位于该背侧上的每一硅通 孔电极上一具有渐细侧壁的导电接垫，且该第一半导体基底的该背侧具有一 第一隔离层以及位于该第一隔离层上的一第二隔离层；

提供一第二半导体基底，其具有多个上接触点；以及

将该第一半导体基底接合至该第二半导体基底，使该第二半导体基底的 每一上接触点电性耦接至该第一半导体基底上对应的所述导电接垫。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电接垫中 至少有一些包括一重布线。