[发明专利]存储装置和存储器编程方法无效
| 申请号： | 200910137878.9 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101640071A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;杨 静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种存储装置和存储器编程方法。所述存储装置可在多层单元(MLC)或多比特单元(MBC)存储装置中对数据进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，包括：存储单元阵列，包括多个多层单元；编程单元，在所述多个多层单元中对第一数据页进行编程，并用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；编程电平稳定单元，稳定第一数据页或第二数据页的编程电平。
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