[发明专利]存储装置和存储器编程方法

说明书

本申请要求于2008年8月1日提交到韩国知识产权局的第10-2008-0075559号韩国专利申请的优先权，其公开完整地包含于此，以资参考。

技术领域

示例性实施例涉及可在存储装置中对数据进行编程的设备和方法。此外，示例性实施例涉及可在多层单元(MLC)或多比特单元(MBC)存储装置中对数据进行编程的设备和方法。

背景技术

单层单元(SLC)存储装置可在单个存储单元中存储1位数据。SLC存储器可称为单比特单元(SBC)存储器。在SLC存储装置的单层单元中存储1位数据的处理可称为编程处理，并可改变单层单元的阈值电压。例如，当在单层单元中存储逻辑值“1”的数据时，单层单元可具有1.0V的阈值电压。当在单层单元中存储逻辑值“0”的数据时，单层单元可具有3.0V的阈值电压。

由于单层单元之间的微小电气特性差异，在具有相同的编程数据的每个单层单元中形成的阈值电压可分布在预定范围内。例如，当从存储单元读取的电压大于0.5V且小于1.5V时，可确定存储单元中存储的数据具有逻辑值“1”。当从存储单元读取的电压大于2.5V且小于3.5V时，可确定存储单元中存储的数据具有逻辑值“0”。可在读取操作期间根据存储单元电流/电压的差异对存储单元中存储的数据进行分类。

同时，响应于对存储器更高集成度的需求，已提出了可在单个存储单元中存储2位或更多位数据的多层单元(MLC)存储装置。MLC存储装置还可称为多比特单元(MBC)存储器。然而，随着在单个存储单元中存储的位数增加，可靠性可能降低，并且读取失败率可能增加。为了在单个存储单元中编程“m”位，可能需要在存储单元中形成2^m个阈值电压中的任何一个。由于存储单元之间的微小电气特性差异，具有相同的编程数据的存储单元的阈值电压可分布在预定范围内。单个阈值电压分布可能对应于可根据“m”位产生的2^m个数据值的每一个。

然而，由于存储器的电压窗口可能是有限的，所以相邻位之间的阈值电压的2^m个分布之间的距离可能随着“m”增加而减小，这可导致分布的重叠。如果分布互相重叠，则读取失败率可能增加。

此外，当存储单元中存储的数据保持很长一段时间时，由于影响存储装置的可靠性的因素，分布区域可能互相重叠，从而可能出现错误以妨碍单元中存储的信息的状态被正确读取。

发明内容

根据示例性实施例，设备可包括一种存储装置。所述存储装置可包括：存储单元阵列，包括多个多层单元；编程单元，在所述多个多层单元中对第一数据页进行编程，并用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；编程电平稳定单元，稳定第一数据页或第二数据页的编程电平。

根据示例性实施例，方法可包括一种存储器编程方法。所述存储器编程方法可包括：在多个多层单元中对第一数据页进行编程；稳定第一数据页的第一编程电平；用与稳定的第一编程电平相应的编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程。

根据示例性实施例，方法可包括另一种存储器编程方法。所述存储器编程方法可包括：在多个多层单元中对第一数据页进行编程；用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；稳定第一数据页的第一编程电平和第二数据页的第二编程电平；对与稳定的第一编程电平相应的第一数据页和与稳定的第二编程电平相应的第二数据页进行重新编程。

附图说明

通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述，示例性实施例的上述和其他特征和优点将会变得更清楚。附图意在描绘示例性实施例，不应该被解释为限制权利要求的预期范围。除非明确指出，否则附图不视为按比例绘制。

图1是示出根据示例性实施例的存储装置的配置的框图；

图2示出根据示例性实施例的描述存储装置的操作的例子；

图3示出根据示例性实施例的描述存储装置的操作的另一例子；

图4是示出根据示例性实施例的存储器编程方法的流程图；

图5是示出根据其他示例性实施例的存储器编程方法的流程图。

具体实施方式

现在将参照附图更全面地描述示例性实施例。然而，实施例可以以多种不同的形式来实施，而不应理解为限于这里阐述的示例性实施例，相反，提供这些示例性实施例以使本公开是彻底的和完全的，并将示例性实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，放大了层和区域的厚度。