[发明专利]存储装置和存储器编程方法无效
| 申请号： | 200910137878.9 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101640071A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;杨 静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 存储器 编程 方法 | ||
1、一种存储装置，包括：
存储单元阵列，包括多个多层单元；
编程单元，在所述多个多层单元中对第一数据页进行编程，并用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；
编程电平稳定单元，稳定第一数据页或第二数据页的编程电平。
2、如权利要求1所述的存储装置，其中，编程电平稳定单元基于第一数据页或第二数据页的阈值电压的改变来稳定第一数据页的第一编程电平或第二数据页的第二编程电平。
3、如权利要求2所述的存储装置，其中，所述阈值电压的改变是基于所述多个多层单元中存在的电子和空穴的复合。
4、如权利要求1所述的存储装置，其中，编程单元对与稳定的第一编程电平相应的第一数据页或与稳定的第二编程电平相应的第二数据页进行重新编程。
5、如权利要求1所述的存储装置，其中，编程电平稳定单元使与第一数据页或第二数据页相应的所述多个多层单元中存在的电子和空穴复合。
6、如权利要求1所述的存储装置，其中，编程电平稳定单元稳定所述多个多层单元的阈值电压分布。
7、如权利要求1所述的存储装置，其中，在编程单元对第一数据页进行编程之后，编程电平稳定单元稳定第一编程电平。
8、如权利要求7所述的存储装置，其中，在编程电平稳定单元稳定第一编程电平之后，编程单元基于稳定的第一编程电平对与第二编程电平相应的第二数据页进行编程。
9、如权利要求8所述的存储装置，其中，编程单元在对与第二编程电平相应的第二数据页进行编程的同时，对与稳定的第一编程电平相应的第一数据页进行重新编程。
10、如权利要求1所述的存储装置，其中，在编程单元对第一数据页和第二数据页进行编程之后，编程电平稳定单元稳定第一编程电平和第二编程电平。
11、如权利要求10所述的存储装置，其中，编程单元基于稳定的第一编程电平和稳定的第二编程电平对第一数据页和第二数据页进行重新编程。
12、一种存储器编程方法，包括：
在多个多层单元中对第一数据页进行编程；
稳定第一数据页的第一编程电平；
用与稳定的第一编程电平相应的编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程。
13、如权利要求12所述的方法，其中，对第二数据页进行编程的步骤还包括：
对与稳定的第一编程电平相应的第一数据页进行重新编程。
14、一种存储器编程方法，包括：
在多个多层单元中对第一数据页进行编程；
用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；
稳定第一数据页的第一编程电平和第二数据页的第二编程电平；
对与稳定的第一编程电平相应的第一数据页和与稳定的第二编程电平相应的第二数据页进行重新编程。
15、一种计算机可读记录介质，所述计算机可读记录介质存储用于实现如权利要求12所述的方法的程序。
16、一种计算机可读记录介质，所述计算机可读记录介质存储用于实现如权利要求14所述的方法的程序。
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