[发明专利]具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件有效
| 申请号： | 200910136498.3 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101814524A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱振梁;廖浚廷;陈斐筠;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件。在本发明的一具体实施例中，此元件包含一基板和一形成于基板上的晶体管。晶体管包含一栅结构、一源区和一漏区。漏区包含一交替掺杂形态区域。交替掺杂形态区域包含高低掺杂浓度的交替区域。在本发明的一实施例中，晶体管为一高电压晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交替 掺杂 形态 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于其包含：一基板；一晶体管元件，形成在该基板之上，其中该晶体管元件包含：一栅结构，一源区，及一漏区，其中该漏区包含一交替掺杂形态区域。
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