[发明专利]具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于其包含：

一基板；

一晶体管元件，形成在该基板之上，其中该晶体管元件包含：

一栅结构，

一源区，及

一漏区，其中该漏区包含一交替掺杂形态区域，该交替掺杂形态 区域包含：

一第一区及一第二区，具有一第一浓度；及

一第三区，具有一第二浓度，其中该第三区插入于该第一区和 第二区之间，且其中该第二浓度低于该第一浓度；以及

一通道区，位于该栅极结构之下，其中每一该第一区、第二区以 及第三区直接连接该通道区。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的漏区包 含一扩散漏区，其中该扩散漏区位于该交替掺杂形态区域之下。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的源区包 含另一交替掺杂形态区域，该另一交替掺杂形态区域包含：

一第四区及一第五区，具有一第三浓度；及

一第六区，具有一第四浓度，其中该第六区插入于该第四区和第五区 之间，且其中该第四浓度低于该第二浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其更包含：

一高电压井，位于基板中且于该晶体管元件之下。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的栅极结 构包含一具有高介电常数的栅介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的交替掺 杂形态区域包含多个N+掺杂区域和多个N-掺杂区域，其中该些N-掺杂区域 是插入于该些N+掺杂区域之间。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的晶体管 元件为高电压场效晶体管元件。

8.一种半导体元件，其特征在于其包含：

一高电压井，位于一半导体基板之中，其中该高电压井具有一第一种 形态的掺质；

一第一源/漏区域，位于该高电压井之中，其中该第一源/漏区域具有 一第二种形态的掺质；

一第二源/漏区域，位于该高电压井之中，其中该第二源/漏区域与该 第一源/漏区域相隔一段距离，且其中该第二源/漏区域包含：

一第一区，具有该第二种形态的掺质；及

一第二区，位于该第一区之中，其中该第二区具有该第二种形态 的掺质，且其中该第二区包含多个具有第一浓度的该第二种形态掺质的区 域和多个具有第二浓度的该第二种形态掺质的区域，且每一该些具有该第 一浓度的区域与每一该些具有该第二浓度的区域是交替排列；以及

一通道区，配置于该第一源/漏区域与该第二源/漏区域之间，其中该 第二区中的每一该些具有该第一浓度的区域以及每一该些具有该第二浓度 的区域直接连接该通道区。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二种 形态的掺质为N型。

10.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一 区包含一掺杂浓度，其是低于该第二浓度。

11.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于其更包含：

一栅极结构，位于该基板上且介于该第一源/漏区域及该第二源/漏区 域之间。

12.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一 源/漏区域包含具有该第二浓度的该第二种形态掺质。