[发明专利]半导体存储器装置的调整电路和其调整方法无效
| 申请号： | 200910134480.X | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101729056A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 金志烈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03M13/00;G11C5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置的调整电路和其调整方法。用于半导体存储器装置的调整电路包括：调整代码产生器，配置为通过使用测试模式信号和保险丝代码信号进行加法和减法之一来提供调整代码信号组；以及内部电压产生器，配置为响应于所述调整代码信号组提供调整的电压作为输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 调整 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体存储器装置的调整电路，包括：调整代码产生器，配置为通过使用测试模式信号和保险丝代码信号进行加法和减法之一来提供调整代码信号组；以及内部电压产生器，配置为响应于所述调整代码信号组提供调整的电压以作为输出电压。
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