[发明专利]半导体存储器装置的调整电路和其调整方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2008年10月14日在韩国知识产权局提交的10-2008-0100549号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用包含于此，如同全文阐述。

技术领域

这里所描述的实施例涉及一种半导体存储器装置，具体说，涉及一种用于半导体存储器装置的调整电路。

背景技术

通常，由于外部电源电压或接地电压可能具有噪声和电压水平的瞬时变化，所以半导体存储器装置中的电路需要具有稳定水平的电压。因此，半导体存储器装置通过使用外部电源电压或接地电压来产生具有各种电平的内部电压。

半导体存储器装置包括内部电压产生电路，以使用外部输入电压来产生内部电压。如果该内部电压不具有期望的水平，则当内部电压的水平太高时切断保险丝，或者使用代码信号对该内部电压进行适当的调整，使得该内部电压可以以目标水平输出。例如，在晶片级上切断保险丝以进行调整。然而，当在封装处理之后需要进行调整时，因为当在封装级上进行调整操作时主要是对预设基本电压进行调整，所以即使使用代码信号，内部电压也可能未被准确地调整。这里，为了更加准确地对内部电压进行调整，应该通过考虑在晶片级上切断保险丝来进行调整处理。

发明内容

这里描述一种半导体存储器装置的调整电路，它能够高效地对内部电压进行调整。

在一个方面，一种用于半导体存储器装置的调整电路，包括：调整代码产生器，配置为通过使用测试模式信号和保险丝代码信号进行加法和减法之一来提供调整代码信号组；以及内部电压产生器，配置为响应于调整代码信号组提供调整的电压以作为输出电压。

在另一个方面，一种用于半导体存储器装置的调整电路，包括：调整代码产生器，配置为响应于确定晶片级的保险丝切断信息的接收的调整基本使能信号，根据保险丝切断信息的解码结果来提供调整代码信号组，或者根据测试模式信号，在对解码信号进行操作之后提供调整代码信号组；以及内部电压产生器，配置为将响应于调整代码信号组而调整的电压提供为输出电压。

在另一个方面，一种用于半导体存储器装置的调整电路，包括：多个内部电压产生器，每个内部电压产生器配置为产生各个调整目标内部电压；测试模式控制器，配置为产生多个电压控制信号，每个电压控制信号与多个调整目标内部电压中的一个调整目标内部电压相对应；以及计算器块，由多个电压控制信号进行控制，并配置为通过使用多个内部电压产生器中的每个内部电压产生器的保险丝代码信息，选择性地提供与多个内部电压产生器中的每个内部电压产生器相对应的调整代码信号组。

在另一个方面，一种调整半导体存储器装置的方法，包括：通过对晶片级的保险丝切断信息进行解码来提供保险丝代码信号；对测试模式信号进行解码；通过对保险丝代码信号进行编码来提供具有多个位的保险丝代码信号；通过对第一解码器的输出信号进行编码来提供具有多个位的加减控制信号、加法标记信号和减法标记信号；对保险丝代码信号、加减控制信号、加法标记信号和减法标记信号进行加法运算；通过对加法器块的输出信号进行解码来提供调整代码信号组；以及响应于调整代码信号组将调整的电压提供为输出电压。

在另一个方面，一种对半导体存储器装置进行调整的方法，包括：产生多个调整目标内部电压；产生多个电压控制信号，每个电压控制信号与多个调整目标内部电压中的一个调整目标内部电压相对应；以及通过基于多个电压控制信号使用多个内部电压产生器中的每个内部电压产生器的保险丝代码信息，来提供与多个内部电压产生器中的每个内部电压产生器相对应的调整代码信号组。

下面，在“具体实施方式”部分中描述这些或其它特征、方面和实施例。

附图说明

下面结合附图来描述各特征、方面和实施例，在附图中：

图1是根据一个实施例的半导体存储器装置的示例性调整电路的示意框图；

图2是根据一个实施例的能够在图1的电路中实现的示例性测试模式控制器的示意框图；

图3是根据一个实施例的图2的测试模式信号控制器的示例性电路的示意图；

图4是根据一个实施例的能够在图2中的调整信息块中实现的示例性第一调整信息提供器的示意电路图；

图5是根据一个实施例的能够在图1的电路中实现的示例性调整代码产生器的示意框图；

图6是根据一个实施例的能够在图5的产生器中实现的示例性保险丝组选择器的示意电路图；

图7是根据一个实施例的能够在图5的产生器中实现的示例性解码块的示意电路图；

图8是示例性内部电压产生器的示意框图；