[发明专利]包装化合物半导体衬底的方法有效

专利信息
申请号: 200910133055.9 申请日: 2009-04-02
公开(公告)号: CN101549781A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 西浦隆幸;目崎义雄;薮原良树 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: B65D85/86 分类号: B65D85/86;B65D81/24;B65D81/26;B65D81/20;B65D77/04;B65D77/24
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈海涛;樊卫民
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。所述化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤:将化合物半导体衬底(10)插到可透气的刚性容器(20)内,将所述刚性容器(20)放到具有1~100ml·m-2·天-1·atm-1的透氧率和1~15g·m-2·天-1的透湿率的内包装袋(30)内,用惰性气体置换所述内包装袋(30)内的空气,以及对所述内包装袋进行气密性密封;以及第二步骤:将所述密封的内包装袋(30)和至少吸收或吸附氧气和水分的脱氧剂/脱水剂(40)放到外包装袋(60)内,并对所述外包装袋(60)进行气密性密封,所述外包装袋(60)具有5ml·m-2·天-1·atm-1以下且低于所述内包装袋(30)的透氧率,并具有3g·m-2·天-1以下且低于所述内包装袋(30)的透湿率。
搜索关键词: 包装 化合物 半导体 衬底 方法
【主权项】:
1.化合物半导体衬底的包装方法,其包括:第一步骤:将化合物半导体衬底插到可透气的刚性容器内,将所述刚性容器放到具有1~100ml·m-2·天-1·atm-1的透氧率和1~15g·m-2·天-1的透湿率的内包装袋内,用惰性气体置换所述内包装袋内的空气,以及对所述内包装袋进行气密性密封;以及第二步骤:将所述密封的内包装袋和吸收或吸附氧气和水分中至少任一种的脱氧剂/脱水剂放到外包装袋内,并对所述外包装袋进行气密性密封,所述外包装袋具有5ml·m-2·天-1·atm-1以下且低于所述内包装袋的透氧率,并具有3g·m-2·天-1以下且低于所述内包装袋的透湿率。
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