[发明专利]包装化合物半导体衬底的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于防止化合物半导体衬底在储存期间品质劣化的化 合物半导体衬底包装方法，所述半导体衬底用于制造半导体器件。

背景技术

已经提出了将化合物半导体衬底储存在非氧化气氛中，由此使得 化合物半导体衬底在储存期间不会发生氧化或其它损害的方法。例如， 日本未审专利申请公布2003-175906号公开了一种包装半导体晶片的 方法，其中将半导体晶片储存容器和脱氧剂/脱水剂放到具有阻气性能 的袋子中，将袋子的顶部进行气密性密封，所述袋子对于晶片容器内 部和所述袋子内部将由脱氧剂/脱水剂吸收的氧气和水分要保持足够长 时间的密封，然后，使密封状态不受干扰，用密封隔板(sealing-off partition)将所述袋子分隔成在袋子内部存放晶片容器的区域和在其中 存放脱氧剂/脱水剂的区域。

然而，专利申请公布2003-175906号的半导体晶片包装方法的问 题在于，其包括使得非气密性晶片容器和脱氧剂/脱水剂被密封在同一 空间内的步骤，以及因为通常为精细粉末的脱氧剂/脱水剂释放出粒子， 所以源于所述浮起(raising)粒子的杂质粘附到半导体晶片上。

而且，源于脱氧剂/脱水剂的浮起粒子的问题能够使得袋子(已将晶 片容器和脱氧剂/脱水剂一起插到其中)内部压力降低成为不可能，由此 大量的氧气和水分将保持在袋子内部。对于所述脱氧剂/脱水剂，需要 很长的时间来除去这样大量的氧气和/或水分，同时，半导体晶片的表 面会因此而易于发生氧化。

另外，为了使得通过热封而在袋内部形成气密性密封成为可能， 至少所述袋子的密封部分由聚乙烯(PE)形成，其具有高的透氧率，因此 当半导体晶片储存长时间时，氧气和/或水通过所述密封部分而进入所 述袋子内部，使得半导体晶片易于发生表面氧化。而且，就化合物半 导体衬底而言，在通常未进行衬底表面的任何特别处理的情况下，在 前面生长一层或多层外延层。其中的问题是在化合物半导体衬底的前 面上形成一层厚的氧化层，氧气会残留在衬底和在其前面上生长的外 延层之间的界面后面，这对器件性能是有害的。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是获得用于防止化合物半导体 衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。

本发明包括第一步骤：将化合物半导体衬底插到可透气的刚性容 器内，将所述刚性容器放到具有1～100ml·m^-2·天^-1·atm^-1的透氧率和 1～15g·m^-2·天^-1的透湿率的内包装袋内，用惰性气体置换内包装袋内 的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤：将密 封的内包装袋和吸收或吸附氧气和水分(例如，水)中至少任一种的脱氧 剂/脱水剂放到外包装袋内，并对所述外包装袋进行气密性密封，所述 外包装袋具有5ml·m^-2·天^-1·atm^-1以下且低于所述内包装袋的透氧率， 并具有3g·m^-2·天^-1以下且低于所述内包装袋的透湿率。

在本发明的化合物半导体衬底包装方法的第一步骤中，所述用惰 性气体置换内包袋内的空气的操作能够利用如下操作进行：通过排出 内部空气将内包装袋抽真空，然后将惰性气体充入所述内包装袋内。 而且，在涉及本发明的化合物半导体衬底包装方法的第一步骤中，在 通过排出内部空气将内包装袋抽真空之后，但在向所述内包装袋中充 入惰性气体之前，所述内包装袋内部空气的压力可以为15托以下。

在涉及本发明的化合物半导体衬底的包装方法中，可以使所述外 包装袋为透明的，在所述第二步骤中，还可以将氧气/水分指示器放到 所述外包装袋内，所述指示器指示氧气和水分(例如，水)中至少任何一 种的浓度。

本发明提供用于防止化合物半导体衬底表面氧化的包装化合物半 导体衬底的方法。

附图说明

附图为举例说明涉及本发明的半导体衬底包装方法的轮廓平面 图。

附图标记说明：

10：化合物半导体衬底

20：刚性容器

30：内包装袋

30s、60s：热密封部分

40：脱氧剂/脱水剂

50：氧气/水分指示器