[发明专利]半导体发光装置无效
| 申请号： | 200910132586.6 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101527344A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 小屋贤一;岸本幸男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈 萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分，反射来自上述半导体发光元件的光的比例高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910132586.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法
- 下一篇：母板及其制造方法
