[发明专利]半导体发光装置

说明书

本申请是2005年11月11日提交的，中国专利申请号为200580040589.7，发明名称为“半导体发光装置、照明装置、便携通信设备、摄像机及制造方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发出光的半导体发光装置、以半导体发光装置为光源的照明装置、便携通信设备及摄像机，特别是涉及用于将输出光高效地输出到外部或提高荧光物质的变换率的技术。

背景技术

近年来，随着半导体技术的提高，正在推动普及输出照明用的白色光的半导体装置。

在上述半导体装置中，考虑将底板(submount)的电极形成为比上述半导体发光元件大来使其具有反射膜的功能的方法。这时，上述电极可以用光的反射率高的金属形成。

专利文献1：(日本)特开2000-286457号公报。

但是，在上述反射率高的金属中，有的金属因容易产生电迁移等而不适合作为电极。

发明内容

本发明不管反射率高的材料是否适合作为电极，提供用它将半导体元件发出的蓝色光或由荧光物质变换的黄绿色光等的输出光高效地输出到外部的半导体装置、具备该半导体装置的照明装置、便携通信设备、及摄像机、以及该半导体发光装置的制造方法。

为了实现上述目的，本发明的半导体发光装置，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触。

根据用于解决课题的手段中记载的结构，在衬底部件的上表面上与电极部分开设置反射部，所以不管该反射部是否适合作为电极，都可以使用它。

因此，与使电极具有作为反射膜的功能的方法相比，能够将半导体发光元件发出的输出光更高效地输出到外部。

在此，在半导体发光装置中，其特征在于，上述电极部包括形成在上述基板的上述上表面上的电极、以及将上述半导体发光元件和上述电极电连接的连接部。

由此，衬底部件上的布线图案等的电极和半导体发光元件由凸块和接合线等连接部连接。

在此，在半导体发光装置中，其特征在于，上述反射部的光反射率比上述电极高。

由此，反射部的反射率比电极高，所以与将电极作为反射膜使用的情况相比，也能够更多地反射半导体发光元件发出的光。

因此，可以提高半导体发光装置的发光效率。

这里，在半导体发光装置中，其特征在于，上述反射部由金属形成，上述电极比形成上述反射部的金属难以产生电迁移。

这样，电极与反射部相比，是难以产生电迁移的金属，所以是比反射部更适合作为电极的材质，能够抑制由电迁移导致的电极间短路故障的发生。

另一方面，反射部是反射率比电极高的材质，因此，可以容易选择适合各种用途的材质。

这里，在半导体发光装置中，其特征在于，上述反射部由Ag、包含Ag的合金、包含Ag、Bi、Nd的合金、包含Ag、Au、Sn的合金、Al、包含Al的合金、或包含Al、Nd的合金形成。

由此，可以提高反射部的反射率。

在此，在半导体发光装置中，其特征在于，上述反射部由Ag或包含Ag的合金形成；在上述电极由Au或以Au为主成分的合金形成时，上述半导体发光元件发出的光的波长带是大约340nm以上、大约800nm以下；上述电极由Pt或以Pt为主成分的合金形成时，上述波长带是大约350nm以上、大约800nm以下；上述电极由Cu或以Cu为主成分的合金形成时，上述波长带是大约350nm以上、大约800nm以下；上述电极由Ni或以Ni为主成分的合金形成时，上述波长带是大约340nm以上、大约800nm以下；上述电极由Rh或以Rh为主成分的合金形成时，上述波长带是大约370nm以上、大约800nm以下；上述电极由Al或以Al为主成分的合金形成时，上述波长带是大约460nm以上、大约800nm以下。

由此，Ag或包含它的合金是反射部，Au、Pt、Cu、Ni、Rh、Al是各电极的情况下，在上述波长带中，反射部的反射率比电极的反射率高。