[发明专利]半导体发光装置无效
| 申请号： | 200910132586.6 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101527344A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 小屋贤一;岸本幸男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈 萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；
上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分，反射来自上述半导体发光元件的光的比例高；
在基板的上表面的未被半导体发光元件遮挡的开放部分，除了上述电极部以外，上述反射部配置成大致遍及整个面。
2.一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；
上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分，反射来自上述半导体发光元件的光的比例高；
在上述反射部的一部分或整面上具有凹凸。
3.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分的凹凸比近的部分大。
4.一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；
上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分，反射来自上述半导体发光元件的光的比例高；
在上述反射部的一部分或整面上具有球面。
5.如权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述反射部的上述球面的离上述半导体发光元件远的部分的曲率比近的部分小。
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