[发明专利]光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法有效
申请号: | 200910132431.2 | 申请日: | 2009-03-27 |
公开(公告)号: | CN101552278A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 平林幸哉;国森隆志 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L29/78;H01L29/92;H01L21/66;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法,其可以降低光劣化修正功能的实现所需成本且提高检测精度,其具备:光传感器部,其具有光检测用晶体管,输出与对该光检测用晶体管的照射光量相应的信号;阈值电压检测部,其具有与光检测用晶体管相邻配置并与光检测用晶体管在同一工艺中形成的阈值检测用晶体管,检测该阈值检测用晶体管的阈值电压;传感器输出值生成部,其根据光传感器部的输出信号,生成与照射光量相关的传感器输出值;修正系数确定部,其根据用于修正由光劣化引起的传感器输出值的变化的修正系数和阈值电压的对应关系,确定与阈值电压检测部检测的阈值电压对应的修正系数;以及修正处理部,其根据修正系数确定部确定的修正系数,修正传感器输出值。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 电光 电子设备 以及 光劣化 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光检测装置,其特征在于,具备:光传感器部,其具有光检测用晶体管,输出与对该光检测用晶体管的照射光量相应的信号;阈值电压检测部,其具有与上述光检测用晶体管相邻配置并与上述光检测用晶体管在同一工艺中形成的阈值检测用晶体管,检测该阈值检测用晶体管的阈值电压;传感器输出值生成部,其根据上述光传感器部的输出信号,生成与照射光量相关的传感器输出值;修正系数确定部,其根据修正系数和上述阈值电压的对应关系,确定与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数,其中,上述对应关系预先根据与上述光检测用晶体管的光劣化的劣化程度对应的、上述传感器输出值的变化与上述阈值电压的变化的关系性而确定,上述修正系数用于修正由上述光劣化引起的上述传感器输出值的变化;以及修正处理部,其根据上述修正系数确定部确定的修正系数,修正上述传感器输出值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的