[发明专利]光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法。

背景技术

作为传统的光检测装置，已知有利用薄膜晶体管的漏电流与照射光量成比例，由该漏电流(光泄漏电流)对电压检测用电容器进行电荷的充电或放电，监视该电容器的两端间的电压变化，从而检测照射光量的装置(例如参照专利文献1)。

但是，薄膜晶体管的电气特性因曝光而变化(光劣化)，因此，上述专利文献1的光检测装置由于光劣化引起的特性变化而导致照射光量的检测精度降低。针对该问题，公开了改良薄膜晶体管的生成方法，采用提高抗劣化特性的光电变换元件(例如参照专利文献2)和比较光传感器的输出信号与基准信号的模拟信号处理电路来修正光劣化引起的特性变化的方法(例如参照专利文献3)。

专利文献1：日本特开2006-29832号公报；

专利文献2：日本特开平9-232620号公报；

专利文献3：日本特开2006-179478号公报。

但是，上述专利文献2所述的光电变换元件中，需要特别的制造条件，因此产生制造成本增大的问题。具体地，在采用薄膜晶体管的显示装置的内部埋入光传感器，或由同一装置制造显示装置和光传感器的场合，无法与显示装置的驱动晶体管共用制造工艺，因此必须进行制造工艺的追加和制造装置的烦杂的条件设定。另外，上述专利文献3的技术中，为了进行修正处理，必须设置复杂的模拟信号处理电路和基准信号生成用的信号源，导致成本的增大。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供可降低光劣化修正功能的实现所需成本并提高检测精度的光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法。

为了达到上述目的，本发明的光检测装置，其特征在于，具备：光传感器部，其具有光检测用晶体管，输出与对该光检测用晶体管的照射光量相应的信号；阈值电压检测部，其具有与上述光检测用晶体管相邻配置并与上述光检测用晶体管在同一工艺中形成的阈值检测用晶体管，检测该阈值检测用晶体管的阈值电压；传感器输出值生成部，其根据上述光传感器部的输出信号，生成与照射光量相关的传感器输出值；修正系数确定部，其根据修正系数和上述阈值电压的对应关系，确定与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数，其中，上述对应关系预先根据与上述光检测用晶体管的光劣化的劣化程度对应的、上述传感器输出值的变化与上述阈值电压的变化的关系性而确定，上述修正系数用于修正由上述光劣化引起的上述传感器输出值的变化；以及修正处理部，其根据上述修正系数确定部确定的修正系数，修正上述传感器输出值。

本申请发明人发现：如果根据与光检测用晶体管的光劣化的劣化程度对应的传感器输出值的变化和与光检测用晶体管的光劣化的劣化程度对应的阈值电压的变化的关系，其中阈值电压是指示光检测用晶体管的光劣化状态的指标，可以知道该阈值电压，则通过将与其对应的修正系数乘以传感器输出值，可以与光劣化的劣化程度无关地总是获得一定的(换言之与无光劣化状态同等的)传感器输出值。

为了检测光检测用晶体管的阈值电压，设置具有与光检测用晶体管相同的电气特性且与光检测用晶体管成为相同条件的曝光的(即与光检测用晶体管相邻配置)阈值检测用晶体管，通过检测其阈值电压即可。为了使两方的晶体管的特性一致，在同一工艺制造即可，因此不需要特殊工艺，另外，用于检测晶体管的阈值电压的电路可用比较简单的电路实现，因此，没有必要设置用于进行修正处理的复杂模拟电路、信号源等。

从而，根据本发明的光检测装置，可降低光劣化修正功能的实现所需成本且提高检测精度。

另外，上述的光检测装置中，优选的是，上述修正系数确定部，根据表示上述修正系数和上述阈值电压的对应关系的运算式，计算与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数，或，存储表示上述修正系数和上述阈值电压的对应关系的查找表，从该查找表取得与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数。

修正系数和阈值电压的对应关系由大致直线的函数表示，不会成为复杂的运算式。即，采用该运算式的修正系数的计算处理所需的运算电路也成为小规模，有利于成本的降低。另一方面，由查找表保存修正系数和阈值电压的对应关系的场合，需要相应的存储容量，但是，修正系数的计算处理所需运算电路变得不必要，因此从有利于成本降低的观点看，与采用运算式的场合没有太大差别。从而，可根据光检测装置的规格，适宜选择采用运算式或采用查找表即可。