[发明专利]光检测装置、电光装置及电子设备以及光劣化修正方法

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于，具备：

光传感器部，其具有光检测用晶体管，输出与对该光检测用晶体管的照射光量相应的信号；

阈值电压检测部，其具有与上述光检测用晶体管相邻配置并与上述光检测用晶体管在同一工艺中形成的阈值检测用晶体管，检测该阈值检测用晶体管的阈值电压；

传感器输出值生成部，其根据上述光传感器部的输出信号，生成与照射光量相关的传感器输出值；

修正系数确定部，其根据修正系数和上述阈值电压的对应关系，确定与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数，其中，上述对应关系预先根据与上述光检测用晶体管的光劣化的劣化程度对应的、上述传感器输出值的变化与上述阈值电压的变化的关系性而确定，上述修正系数用于修正由上述光劣化引起的上述传感器输出值的变化；以及

修正处理部，其根据上述修正系数确定部确定的修正系数，修正上述传感器输出值。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，

上述修正系数确定部根据表示上述修正系数和上述阈值电压的对应关系的运算式，计算与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数。

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，

上述修正系数确定部存储表示上述修正系数和上述阈值电压的对应关系的查找表，从该查找表取得与上述阈值电压检测部检测的阈值电压对应的上述修正系数。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的光检测装置，其特征在于，具备：

上述光检测用晶体管，其是N沟道型MOS(金属氧化物半导体)晶体管，源极端子与基准电位线连接，栅极端子与栅极电压线连接；

电容器，其一方的电极与上述光检测用晶体管的漏极端子连接，另一方的电极与上述基准电位线连接；

上述光传感器部，其具有用于将上述光检测用晶体管的漏极端子的连接目的地在第1驱动电压线和输出信号线之间切换的开关；

上述阈值检测用晶体管，其是N沟道型MOS晶体管，漏极端子与栅极端子连接，源极端子与上述基准电位线连接；

上述阈值电压检测部，其具有一端与上述阈值检测用晶体管的漏极端子连接而另一端与第2驱动电压线连接并且电阻值被设定成比上述阈值检测用晶体管的导通电阻高且比截止电阻低的电阻元件；以及

电压供给部，其向上述第1驱动电压线供给用于对上述电容器充电的第1驱动电压，向上述栅极电压线供给使上述光检测用晶体管成为截止状态的栅极电压，向上述第2驱动电压线供给比上述阈值检测用晶体管的最大阈值电压高的第2驱动电压，向上述基准电位线供给基准电位；

其中，上述传感器输出值生成部在上述照射光量的检测开始时，控制上述开关使上述光检测用晶体管的漏极端子的连接目的地切换为上述第1驱动电压线，在上述电容器成为满充电状态的时间经过后，控制上述开关使上述光检测用晶体管的漏极端子的连接目的地切换为上述输出信号线，计测该输出信号线的电位降低到规定的电位为止的时间常数，作为上述传感器输出值；

上述修正系数确定部取得上述阈值检测用晶体管的漏极端子的电压，作为上述阈值电压，确定与该取得的阈值电压对应的上述修正系数；

上述修正处理部根据上述修正系数确定部确定的上述修正系数，修正作为上述传感器输出值的时间常数。

5.根据权利要求4所述的光检测装置，其特征在于，

上述电压供给部，至少在从上述照射光量的检测开始时到上述时间常数及上述阈值电压的计测结束为止的期间，向上述栅极电压线供给使上述光检测用晶体管成为截止状态的栅极电压并向上述第2驱动电压线供给比上述阈值检测用晶体管的最大阈值电压高的第2驱动电压，而在其他期间，使上述栅极电压及上述第2驱动电压变化。

6.根据权利要求1～3的任一项所述的光检测装置，其特征在于，

上述光检测用晶体管及上述阈值检测用晶体管是非晶硅TFT(薄膜晶体管)。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的光检测装置，其特征在于，

具备遮光判定部，其判定是否形成了不向上述阈值检测用晶体管照射光的遮光状态，

上述阈值电压检测部，在上述遮光判定部判定的上述阈值检测用晶体管的遮光状态下，检测上述阈值检测用晶体管的阈值电压。