[发明专利]低栅极电荷的沟槽式功率半导体的制造方法及其结构

摘要

本发明公开了一种低栅极电荷的沟槽式功率半导体的制造方法及其结构，其特征在于，该制造方法的步骤如下：提供一第一导电型半导体基材，其上形成一第一导电型外延层及一第二导电型本体区域；形成多个沟槽；形成一第一绝缘层于该第二导电型本体区域上及每一沟槽的内侧面；形成一多晶硅侧墙于每一沟槽的侧壁，且裸露该沟槽的底面的一部分；填入一介电结构于每一沟槽；填入一多晶硅于每一沟槽的介电结构的上方；形成一金属硅化物于该多晶硅上，该金属硅化物为第一相组成；以及将该金属硅化物由第一相组成转变为第二相组成。本发明可改善切换速度并且可以达成降低切换损失的效果。

主权项

一种低栅极电荷的沟槽式功率半导体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一导电型半导体基材；形成一第一导电型外延层于该第一导电型半导体基材上；形成一第二导电型本体区域于该第一导电型外延层内，该第二导电型本体区域由该第一导电型外延层的上表面向下延伸；形成多个沟槽于该第一导电型外延层内，每一沟槽由该第二导电型本体区域的上表面向下贯穿该第二导电型本体区域；形成一第一绝缘层于该第二导电型本体区域上及每一沟槽的内侧面；形成一多晶硅侧墙于每一沟槽的侧壁；填入一介电结构于每一沟槽的下部分；以及填入一多晶硅结构于所述每一沟槽内，该多晶硅结构连接该多晶硅侧墙，且位于该介电结构的上方。