[发明专利]参考电压产生电路有效
| 申请号： | 200910119045.X | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101615048A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 廖英闵;林育信 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/16 | 分类号： | G05F3/16 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种参考电压产生电路，包含：闭环支路，包含放大器，包含正输入端、负输入端及输出端，放大器的正输入端接收输入电压；第一MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端，第一MOS晶体管的源极耦接放大器的负输入端；第二MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏极，第二MOS晶体管的源极耦接第一电压源，第二MOS晶体管的漏极耦接第一MOS晶体管的源极；开环支路，包含第三MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第三MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端。本发明的参考电压产生电路，在低电压环境中可正常运作，可快速稳定并输出幅度相对较大的参考电压，并具有较少的功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种参考电压产生电路，用以于一输出节点提供一参考电压，其特征在于，所述参考电压产生电路包含：一闭环支路，包含：一放大器，包含一正输入端、一负输入端及一输出端，其中所述放大器的正输入端用以接收一输入电压；一第一MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第一MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端，所述第一MOS晶体管的源极耦接所述放大器的负输入端；以及一第二MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第二MOS晶体管的栅极耦接所述第一MOS晶体管的漏极，所述第二MOS晶体管的源极耦接一第一电压源，所述第二MOS晶体管的漏极耦接所述第一MOS晶体管的源极；以及一开环支路，包含：一第三MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第三MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端。
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