[发明专利]参考电压产生电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，用以于一输出节点提供一参考电压， 其特征在于，所述参考电压产生电路包含：

一闭环支路，包含：

一放大器，包含一正输入端、一负输入端及一输出端，其中所述 放大器的正输入端用以接收一输入电压；

一第一MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第 一MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端，所述第一MOS晶体 管的源极耦接所述放大器的负输入端；以及

一第二MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第 二MOS晶体管的栅极耦接所述第一MOS晶体管的漏极，所述第二 MOS晶体管的源极耦接一第一电压源，所述第二MOS晶体管的漏极 耦接所述第一MOS晶体管的源极；以及

一开环支路，包含：

一第三MOS晶体管，包含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第 三MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端。

2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述参 考电压产生电路更包含一第四MOS晶体管，所述第四MOS晶体管包 含一栅极、一源极及一漏极，其中所述第四MOS晶体管的栅极耦接所 述第三MOS晶体管的漏极，所述第四MOS晶体管的源极耦接所述第 一电压源，所述第四MOS晶体管的漏极耦接所述输出节点。

3.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述参 考电压产生电路更包含：

一第一负载单元，耦接于所述第一MOS晶体管与一第二电压源之 间；以及

一第二负载单元，耦接于所述第三MOS晶体管的漏极与所述第二 电压源之间。

4.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第 一负载单元与所述第二负载单元藉由晶体管或电阻来实施。

5.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第 一、第二、第三及第四MOS晶体管为PMOS晶体管，所述第一电压 源用以提供一供应电压，以及所述第二电压源用以提供一接地电压。

6.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第 一、第二、第三及第四MOS晶体管为NMOS晶体管，所述第一电压 源用以提供一接地电压，以及所述第二电压源用以提供一供应电压。

7.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，流经所 述开环支路的一电流量为流经所述闭环支路的一电流量的N倍。

8.一种参考电压产生电路，其特征在于，所述参考电压产生电路 包含：

一闭环支路，包含：

一放大器，包含一正输入端、一负输入端及一输出端，其中所述 放大器的正输入端用以接收一输入电压；

一源极跟随晶体管，包含一栅极、一第一端及一第二端，其中所 述源极跟随晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端，所述源极跟随晶 体管的第一端耦接所述放大器的负输入端；以及

一第一电流源晶体管，以串联方式耦接所述源极跟随晶体管的第 一端，且所述第一电流源晶体管包含一栅极，所述第一电流源晶体管 的栅极耦接所述源极跟随晶体管的第二端；以及

一开环支路，包含：

一驱动晶体管，包含一栅极、一第一端及一第二端，其中所述驱 动晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端，所述驱动晶体管的第一端 用以提供一参考电压；以及

一第二电流源晶体管，以串联方式耦接所述驱动晶体管的第一端， 且所述第二电流源晶体管具有一栅极，所述第二电流源晶体管的栅极 耦接所述驱动晶体管的第二端。

9.如权利要求8所述的参考电压产生电路，其特征在于，当所述 源极跟随晶体管及所述驱动晶体管为PMOS晶体管时，所述第一电流 源晶体管与所述第二电流源晶体管作用为电流源；当所述源极跟随晶 体管及所述驱动晶体管为NMOS晶体管时，所述第一电流源晶体管与 所述第二电流源晶体管作用为电流吸收器。

10.如权利要求8所述的参考电压产生电路，其特征在于，流经所 述开环支路的一电流量为流经所述闭环支路的一电流量的N倍。