[发明专利]一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法有效
| 申请号： | 200910117708.4 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101740715A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 孙建荣;王志光;金运范;姚存峰;王瑜玉;魏孔芳;申铁龙;缑洁;臧航 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 马正良 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法，其措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类为Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。通过本发明方法，能够显著增加以Fe3O4纳米多晶薄膜为代表的半金属性薄膜材料的晶粒绝缘边界、减小表面应力，可以获得高质量的势垒层及势垒界面，使得其室温磁致电阻明显提高并能被施以人为调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 辐照 提高 调制 金属性 薄膜 材料 致电 方法 | ||
【主权项】：
一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法，采取的措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。
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