[发明专利]一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法有效
| 申请号： | 200910117708.4 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101740715A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 孙建荣;王志光;金运范;姚存峰;王瑜玉;魏孔芳;申铁龙;缑洁;臧航 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 马正良 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 辐照 提高 调制 金属性 薄膜 材料 致电 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方 法，采取的措施是：
(1)半金属性薄膜材料的膜厚控制在100纳米到10微米之间；半金属性 薄膜材料为Fe3O4、CrO2、CoS2、Sr2FeMoO6、CuV2S4、Tl2Mn2O7和 La0.7Ca0.3MnO3、LaxSr1-xMnO3中的一种。
(2)辐照重离子的种类Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种， q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；
(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；
(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。
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