[发明专利]一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法有效
| 申请号： | 200910112948.5 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102094182B | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 黄丰;林璋;湛智兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法。对于磁控溅射制备的不稳定AZO薄膜，采用Zn气氛退火的方法来改善薄膜的导电性和稳定性。将薄膜和金属Zn粒一起密封于真空容器中，加热到一定的温度并维持一定的时间，使Zn原子填入到薄膜的Zn空位处，从而同时提高薄膜迁移率和载流子浓度。经本方法处理过的AZO薄膜拥有1.5×10-4(Ωcm)的低电阻率，将其分别置于室温和100℃的空气中，在长达三个月的时间里，电阻率没有变化。本方法极大地提高了AZO薄膜的导电性和稳定性，对AZO薄膜的在实际中的广泛使用能产生重要的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 zno 透明 导电 薄膜 azo 导电性 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法，其特征在于：将具有Zn空位的AZO薄膜和金属Zn粒同时密封于干净的真空容器中，加热此容器到一定温度并维持一定时间进行退火；所述容器内气压小于1Pa，所述退火温度控制在500℃至1000℃之间，所述退火时间控制在60分钟以内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910112948.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
