[发明专利]一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法有效
| 申请号： | 200910112948.5 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102094182B | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 黄丰;林璋;湛智兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 zno 透明 导电 薄膜 azo 导电性 稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法，其特征在于： 将具有Zn空位的AZO薄膜和金属Zn粒同时密封于干净的真空容器中，加 热此容器到一定温度并维持一定时间进行退火；所述容器内气压小于1Pa， 所述退火温度控制在500℃至1000℃之间，所述退火时间控制在60分钟以 内。
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