[发明专利]基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路无效

专利信息
申请号: 200910091405.X 申请日: 2009-08-19
公开(公告)号: CN101997538A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 韩伟华;熊莹;赵凯;杨香;张严波;王颖;杨富华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094;H01L27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路,P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号;积分求和器由一电容C∑构成,该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号;脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出,输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
搜索关键词: 基于 脉冲 耦合 纳米 cmos 神经元 电路
【主权项】:
一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,其特征在于,包括:一树突电路(1),该树突电路由一组并联的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与一N型硅纳米线MOS晶体管Tn1通过漏端节点相串联而构成,输入信号为脉冲电压信号V1、V2...Vm;一积分求和器(2),该积分求和器由一电容C∑构成,该电容C∑与树突电路(1)中的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与N型硅纳米线MOS晶体管Tn1的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号V∑;一脉冲发生电路(3),该脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出Vo,输出脉冲序列串的频率受到输入信号V1、V2...Vm的调制。
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