[发明专利]基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路无效
| 申请号: | 200910091405.X | 申请日: | 2009-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN101997538A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 韩伟华;熊莹;赵凯;杨香;张严波;王颖;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094;H01L27/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路,P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号;积分求和器由一电容C∑构成,该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号;脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出,输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 脉冲 耦合 纳米 cmos 神经元 电路 | ||
【主权项】:
一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,其特征在于,包括:一树突电路(1),该树突电路由一组并联的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与一N型硅纳米线MOS晶体管Tn1通过漏端节点相串联而构成,输入信号为脉冲电压信号V1、V2...Vm;一积分求和器(2),该积分求和器由一电容C∑构成,该电容C∑与树突电路(1)中的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与N型硅纳米线MOS晶体管Tn1的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号V∑;一脉冲发生电路(3),该脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出Vo,输出脉冲序列串的频率受到输入信号V1、V2...Vm的调制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910091405.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:农村流通产品批发专用设备
- 下一篇:一种彩票选号器





