[发明专利]基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路

权利要求书

1.一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，包括：

一树突电路(1)，该树突电路由一组并联的P型硅纳米线MOS晶体管T_p11...T_p1m与一N型硅纳米线MOS晶体管T_n1通过漏端节点相串联而构成，输入信号为脉冲电压信号V₁、V₂...V_m；

一积分求和器(2)，该积分求和器由一电容C_∑构成，该电容C_∑与树突电路(1)中的P型硅纳米线MOS晶体管T_p11...T_p1m与N型硅纳米线MOS晶体管T_n1的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号V_∑；

一脉冲发生电路(3)，该脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出V_o，输出脉冲序列串的频率受到输入信号V₁、V₂...V_m的调制。

2.根据权利要求1所述的基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，所述树突电路(1)中一组并联的P型硅纳米线MOS晶体管与串联的一N型硅纳米线MOS晶体管的硅纳米线数量之比为电流加权比例。

3.据权利要求1所述的基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，所述树突电路(1)中由并联的P型硅纳米线MOS晶体管的源端节点作为脉冲信号的并行输入端。

4.根据权利要求1所述的基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，所述脉冲发生电路(3)的反馈回路由输出端与树突电路中P型及N型纳米线MOS晶体管的栅极相连接。

5.根据权利要求1所述的基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，所述脉冲发生电路的CMOS反相器包括硅纳米线CMOS晶体管T_p2和T_n2、…T_pk和T_nk。