[发明专利]提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路有效
| 申请号： | 200910088447.8 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101630660A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 薛守斌;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料。本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 cmos 晶体管 辐照 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法，其特征在于，在辐照环境下，通过CMOS晶体管结构中的N型MOS晶体管侧墙表现为不俘获电子，通过P型MOS场效应晶体管侧墙表现为不俘获空穴，使N型MOS场效应晶体管和P型MOS场效应晶体管的阈值保持不变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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