[发明专利]提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路

权利要求书

1.一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法，其特征在于，在辐照环境下，通过CMOS 晶体管结构中的N型MOS晶体管侧墙为二氧化硅或氧化铪，通过P型MOS场效应晶体 管侧墙为氮化硅或氮氧硅，使N型MOS场效应晶体管和P型MOS场效应晶体管的阈值 保持不变；其中，N型MOS场效应晶体管的隔离区选用氮化硅或氮氧硅，而P型MOS场 效应晶体管的隔离区则选用二氧化硅或氧化铪。

2.一种CMOS晶体管，其特征在于，N型MOS场效应晶体管的侧墙选用二氧化硅或 氧化铪，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用氮化硅或氮氧硅；N型MOS场效应晶体 管的隔离区选用氮化硅或氮氧硅，而P型MOS场效应晶体管的隔离区则选用二氧化硅或 氧化铪。

3.一种CMOS集成电路，包括若干个N型晶体管和P型晶体管，其特征在于，N型 MOS场效应晶体管的侧墙选用二氧化硅或氧化铪，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选 用氮化硅或氮氧硅；N型MOS场效应晶体管的隔离区选用氮化硅或氮氧硅，而P型MOS 场效应晶体管的隔离区则选用二氧化硅或氧化铪。