[发明专利]基于可控负载电容的时间域比较器

摘要

基于可控负载电容的时间域比较器(Shunt Capacitor Based Time-mode Comparator(SCTMC)，属于数据转换器技术领域，其特征在于，该比较器由可控负载电容电压控制延迟的电压时间转换电路和数据触发器的时间-数字转换电路依次串连组成；由于采用电容负载可控的电压控制延迟电路代替传统的电压-时间转换电路，因而能在38MHz的速度下分辨出低于10uV的输入电压差，同时本发明没有采用任何电阻器件因而面积小，功耗低。

主权项

1、基于可控负载电容的时间域比较器，其特征在于，含有一个可控负载电容的电压-时间转换电路、一个D触发器、以及两个负载电容，其中：所述可控负载电容的电压-时间转换电路，含有八个NMOS管和十个PMOS管，其中：在所述八个NMOS管仲，第一NMOS管至第八NMOS管依次标志为(N1，N2，N3，N4，N5，N6，N7，N8)；在所述十个PMOS管中，第一PMOS管至第十PMOS管依次标志为(P1，P2，P3，P4，P5，P6，P7，P8，P9，P10)；在所述第一NMOS管(N1)，第二NMOS管(N2)，第五NMOS管(N5)，第六NMOS管(N6)，第七NMOS管(N7)、第八NMOSN8管(N8)，这六个NMOS管的源极共地，在所述两个负载电容中，第一负载电容(C1)的和第二负载电容(C2)的下极板共地，在所述十个PMOS管中，第一PMOS管(P1)，第三PMOS管(P3)，第五PMOS管(P5)，第九PMOS管(P9)，第二PMOS管(P2)，第四PMOS管(P4)，第六PMOS管(P6)，以及第十PMOS管(P10)这八个PMOS管的源极共同接电源VDD，所述第三NOS管(N3)的栅极接输入电压(VIN)，所述第四NOS管(N4)的栅极接参考电压(VREF)，所述第一PMOS管(P1)、第三PMOS管(P3)、第二PMOS管(P2)、第四PMOS管(P4)、第七PMOS管(P7)、第八PMOS管(P8)这六个PMOS管的栅极、以及所述第一NMOS管(N1)，第二NMOS管(N2)这八个MOS管的栅极接时钟信号(CLK)，所述第一负载电容(C1)的上极板同时和所述第三PMOS管(P3)的漏极、第三NMOS管(N3)的漏极、以及第五PMOS管(P5)的栅极相连，所述第二负载电容器(C2)的上极板同时和第四PMOS管(P4)的漏极、第四NMOS管(N4)的漏极、以及第六PMOS管的栅极相连，所述第一NMOS管(N1)的漏极、第三NMOS管(N3)的源极、以及第五NMOS管(N5)的栅板互连，所述第五PMOS管(P5)的漏极、第五NMOS管(N5)的漏极、第九PMOS管(P9)的栅板，以及第七NMOS管(N7)的栅极互连，所述第二NMOS管(N2)的漏极、第四NMOS管(N4)的源板、以及第六NMOS管(N6)的栅板互连，所述第六PMOS管(P6)的漏极、第六NMOS管(N6)的漏极、第十PMOS管(P10)的栅极、以及第八NMOS管(N8)的栅极互连，所述第七PMOS管(P7)的漏极和所述第七NMOS管(N7)的漏极相连后，再正向通过第一反相管(11)连接到所述D触发器的D端，所述第八PMOS管(P8)的漏极和所述第八NMOS管(N8)的漏极相连后，再通过第二反相管(12)连接到所述D触发器的控制端所述D触发器的输出为所述基于可控负载电容的时间域比较器的输出信号(Dout)。