[发明专利]像素单元及阵列基板有效
申请号: | 200910081015.4 | 申请日: | 2009-03-27 |
公开(公告)号: | CN101847642A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 林允植 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种像素单元及阵列基板,该像素单元包括:横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极,在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管,所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线;所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离;所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。本实施例发明的像素单元通过设置一个以栅线为栅电极的辅助薄膜晶体管的方式,能够在薄膜晶体管出现破损并无法使用时通过修复,使得数据线上的信号通过辅助TFT传送到像素电极并形成画面。本实施例发明的像素单元克服了在现有技术中形成辅助TFT时因在辅助TFT上形成电容导致的画面质量降低的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 阵列 | ||
【主权项】:
一种像素单元,包括:横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极,在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管,其特征在于,所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线;所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离;所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的