[发明专利]像素单元及阵列基板有效

专利信息
申请号: 200910081015.4 申请日: 2009-03-27
公开(公告)号: CN101847642A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 林允植 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;G02F1/1368
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种像素单元及阵列基板,该像素单元包括:横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极,在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管,所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线;所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离;所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。本实施例发明的像素单元通过设置一个以栅线为栅电极的辅助薄膜晶体管的方式,能够在薄膜晶体管出现破损并无法使用时通过修复,使得数据线上的信号通过辅助TFT传送到像素电极并形成画面。本实施例发明的像素单元克服了在现有技术中形成辅助TFT时因在辅助TFT上形成电容导致的画面质量降低的缺陷。
搜索关键词: 像素 单元 阵列
【主权项】:
一种像素单元,包括:横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极,在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管,其特征在于,所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线;所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离;所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。
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