[发明专利]像素单元及阵列基板有效
| 申请号： | 200910081015.4 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101847642A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 林允植 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 单元 阵列 | ||
1.一种像素单元，包括：横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极，
在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线；
所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离；
所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线之间设有第一连接桥，所述第一连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的源电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的源电极隔离；
所述第一连接桥的另一端位于所述数据线上方，并与所述数据线隔离。
3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极之间设有第二连接桥，所述第二连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的漏电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的漏电极隔离；
所述第二连接桥的另一端位于所述像素电极上方，并与所述像素电极隔离。
4.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管位于所述栅线上，所述薄膜晶体管的栅电极为所述栅线。
5.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述像素电极通过钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括：横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极，
在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线；
所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离；
所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线之间设有用于电连接所述辅助薄膜晶体管的源电极和所述数据线的第一连接桥，所述第一连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的源电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的源电极隔离；
所述第一连接桥的另一端位于所述数据线上方，并与所述数据线隔离。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极之间设有第二连接桥，所述第二连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的漏电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的漏电极隔离；
所述第二连接桥的另一端位于所述像素电极上方，并与所述像素电极隔离。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管位于所述栅线上，所述薄膜晶体管的栅电极为所述栅线。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极通过钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
