[发明专利]像素单元及阵列基板

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示装置领域，特别涉及液晶显示装置的像素单元及阵列基板。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板显示装置(F1at Panel Display，简称为FPD)。

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。垂直电场型液晶显示装置包括：扭曲向列(Twist Nematic，简称为TN)型液晶显示装置；水平电场型液晶显示装置包括：边界电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型液晶显示装置，共平面切换(In-Plane Switching，简称为IPS)型液晶显示装置。

图1为现有的像素单元示意图。如图1所示，现有的像素单元包括：像素电极11、栅电极、源电极33、漏电极32和数据线31。其中，栅线21、源电极33和漏电极32构成了薄膜晶体管；源电极33与数据线31一体相连；漏电极32与像素电极11通过过孔电连接，像素电极11通过薄膜晶体管接收数据线31的信号。

在制造液晶显示装置的时候，受到工艺条件的限制往往会出现各种不良，如薄膜晶体管破损等。因此在形成薄膜晶体管时，需要同时形成辅助薄膜晶体管，使得在薄膜晶体管破损时能够对像素单元进行修复。

为了能够在薄膜晶体管出现破损时能够对其进行修复，现有的像素单元形成与像素电极电连接的辅助薄膜晶体管或者形成与数据线电连接的薄膜晶体管。

其中，在辅助薄膜晶体管与像素电极电连接的技术方案中，会在漏电极部分形成电容；在辅助薄膜晶体管与数据线电连接的技术方案中，会在源电极部分形成电容，从而影响了画面质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种像素单元及阵列基板，以克服现有技术中形成辅助薄膜晶体管时产生电容而导致的画面质量低下的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种像素单元，包括：横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极，在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管，所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线；所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离；所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。

其中，所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线之间设有第一连接桥，所述第一连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的源电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的源电极隔离；所述第一连接桥的另一端位于所述数据线上方，并与所述数据线隔离。

其中，所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极之间设有第二连接桥，所述第二连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的漏电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的漏电极隔离；所述第二连接桥的另一端位于所述像素电极上方，并与所述像素电极隔离。

其中，所述薄膜晶体管位于所述栅线上，所述薄膜晶体管的栅电极为所述栅线。

其中，所述像素电极通过钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极一体相连。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括：横向排列的栅线、竖向排列的数据线、位于所述栅线和所述数据线交叉的区域的薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，在所述栅线上设有辅助薄膜晶体管，所述辅助薄膜晶体管的栅电极为所述栅线；所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线隔离；所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极隔离。

其中，所述辅助薄膜晶体管的源电极与所述数据线之间设有第一连接桥，所述第一连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的源电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的源电极隔离；所述第一连接桥的另一端位于所述数据线上方，并与所述数据线隔离。

其中，所述辅助薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极之间设有第二连接桥，所述第二连接桥的一端位于所述辅助薄膜晶体管的漏电极上方，并与所述辅助薄膜晶体管的漏电极隔离；所述第二连接桥的另一端位于所述像素电极上方，并与所述像素电极隔离。

其中，所述薄膜晶体管位于所述栅线上，所述薄膜晶体管的栅电极为所述栅线。

其中，所述像素电极通过钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极一体相连。