[发明专利]基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法有效
| 申请号： | 200910080999.4 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101508420A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 申钧;陈清;王威;张新祥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法，属于纳米加工、生物技术和化学技术领域。本发明方法包括下列步骤：a)将单根碳纳米管组装在针尖上；b)在所述碳纳米管和针尖表面覆盖绝缘层；c)在所述针尖和另一针尖之间加电压，将所述另一针尖靠近碳纳米管直至接触碳纳米管端部以烧熔端部的绝缘层，或接触碳纳米管侧部以烧熔接触处附近的绝缘层并在接触处烧断碳纳米管，从而使碳纳米管裸露，得到纳米电极。通过本发明方法制得的纳米电极可用于电化学分析和生物细胞探测等领域，检测极限和空间分辨率都优于现有的微电极。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单根碳 纳米 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法，包括下列步骤：a)将单根碳纳米管组装在针尖上，b)在所述碳纳米管和针尖表面覆盖绝缘层；c)在所述针尖和另一针尖之间加电压，将所述另一针尖靠近碳纳米管直至接触碳纳米管端部以烧熔端部的绝缘层，或接触碳纳米管侧部以烧熔接触处附近的绝缘层并在接触处烧断碳纳米管，从而使碳纳米管裸露，得到纳米电极。
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