[发明专利]基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法

权利要求书

1.一种基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法，包括下列步骤：

a)将单根碳纳米管组装在导电针尖上，

b)在所述碳纳米管和针尖表面覆盖绝缘层；

c)在所述针尖和另一导电针尖之间加100V以下的电压，将所述另一针尖靠近碳纳米管直至接触碳纳米管端部以烧熔端部的绝缘层，或接触碳纳米管侧部以烧熔接触处附近的绝缘层并在接触处烧断碳纳米管，从而使碳纳米管裸露，得到纳米电极。

2.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，所述碳纳米管是单壁碳纳米管或多壁碳纳米管，所述多壁碳纳米管的直径在30nm以下。

3.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，所述针尖和另一针尖各自为钨针尖或碳纤维针尖。

4.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，步骤b通过原子层沉积方法在所述碳纳米管和针尖表面覆盖绝缘层。

5.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，步骤b所述绝缘层是氧化铪材料。

6.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，步骤b所述绝缘层的厚度在15-80nm的范围内。

7.如权利要求1所述的纳米电极制作方法，其特征在于，步骤c所述电压是在100V以下的直流电压。