[发明专利]一种自支撑TiO2纳米管阵列薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910080353.6 申请日: 2009-03-19
公开(公告)号: CN101857966A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 陈清伟;徐东升 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;H01G9/20;H01G9/042;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种自支撑TiO2纳米管阵列薄膜,其由下述方法制得:a)对钛箔进行初次阳极氧化,在钛箔上形成TiO2纳米管阵列薄膜;b)然后将步骤a)处理得到的钛箔进行退火晶化处理;c)再将经过上述处理的钛箔进行二次阳极氧化,在钛箔和TiO2纳米管阵列薄膜之间形成具有一定厚度的无定形氧化层;d)最后从无定形氧化层上剥离TiO2纳米管阵列薄膜。同时还提供自支撑TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法以及由该薄膜制备的燃料敏化太阳能电池。本发明的自支撑TiO2纳米管阵列薄膜在大面积范围内是平整的,很方便用于构造基于TiO2纳米管阵列薄膜的器件,例如染料敏化太阳能电池。
搜索关键词: 一种 支撑 tio sub 纳米 阵列 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种自支撑TiO2纳米管阵列薄膜,其特征在于,它由下述方法制得:a)对钛箔进行初次阳极氧化,在钛箔上形成TiO2纳米管阵列薄膜;b)然后将步骤a)处理得到的钛箔进行退火晶化处理;c)再将经过上述处理的钛箔进行二次阳极氧化,在钛箔和TiO2纳米管阵列薄膜之间形成无定形TiO2氧化层;d)最后从无定形TiO2氧化层上剥离TiO2纳米管阵列薄膜。
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