[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910077349.4 申请日: 2009-02-18
公开(公告)号: CN101807585A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 刘翔;林承武;陈旭;谢振宇;张文余 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/02;H01L21/768;C23C16/22;G02F1/1362
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 曲鹏
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线,栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管,栅线与数据线之间形成有消除段差的第一有机绝缘层。第一有机绝缘层上形成有用于改善与半导体层界面特性的无机绝缘层,数据线形成在无机绝缘层上。本发明一方面通过增加栅线和数据线厚度降低信号线电阻,减小大尺寸、高分辨率TFT-LCD的信号延迟,另一方面形成两层绝缘层,其中较厚的第一有机绝缘层涂敷在栅线上并形成平坦的表面,以消除段差,避免后续沉积的薄膜发生断线,较薄的无机绝缘层沉积在第一有机绝缘层上,可以有效改善绝缘层与半导体层的界面特性,提高TFT的性能。
搜索关键词: tft lcd 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种TFT-LCD阵列基板,包括形成在基板上的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述栅线与数据线之间形成有消除段差的第一有机绝缘层。
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