[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来，随着大尺寸、高分辨率液晶电视的迅速发展，高频率驱动电路的采用暴露出严重的信号延迟问题。目前，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。 

研究表明，TFT-LCD信号延迟主要由T＝RC决定，其中R为信号线电阻，C为相关电容。在薄膜晶体管打开时，像素电极开始充电，由于信号延迟，使某些像素电极得不到充分充电，因此造成亮度不均匀，对比度下降，严重影响了图像的显示质量。当TFT-LCD尺寸较小时，虽然也存在信号延迟，但由于延迟比较小，对TFT-LCD显示效果影响不明显。当TFT-LCD尺寸较大时，栅线和数据线的长度随之增大，信号延迟时间也随之增大，因此严重的信号延迟导致某些像素电极充电不充分，影响图像的显示质量。 

目前，现在技术TFT-LCD中栅线和数据线一般采用化学性质比较稳定但电阻率比较高的Ta、Cr、Mo等金属或其合金材料。为了降低信号延迟，现有技术提出了一种采用低电阻率材料(如Al、Cu等)的技术方案，但仍存在相应的技术缺陷。用金属Al制作栅线或数据线时，由于Al薄膜材料熔点低，热稳定性差，与接触层物质的热膨胀系数不同，因此在制备TFT的高温过程中，Al薄膜材料会因热应力释放形成小丘，出现小丘一方面会造成Al薄膜的附着性变差，容易脱落，另一方面会造成绝缘层击穿，引起栅极与源电极或漏电极之间短路，致使TFT失效。用金属Cu制作栅线或数据线时，由于Cu薄膜材料与玻璃基板或SiO₂等材料的黏附性差，因此在这些材料上沉积Cu金属薄膜比较困难，而且Cu薄膜材料还存在刻蚀困难等缺陷。

此外，现有技术还提出了一种增加栅线和数据线厚度的技术方案。虽然通过增加栅线和数据线的厚度可以有效降低电阻，从而减小信号延迟，但厚度较大的栅线和数据线会导致段差过大，使后续沉积的薄膜容易发生断线，严重地降低了产品的成品率。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决大尺寸、高分辨率TFT-LCD的信号延迟问题。 

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线与数据线之间形成有消除段差的第一有机绝缘层； 

所述第一有机绝缘层上形成有用于改善与半导体层界面特性的无机绝缘层，所述数据线形成在所述无机绝缘层上。进一步地，所述无机绝缘层的厚度为 

所述栅线的厚度为 所述第一有机绝缘层为以旋涂方式涂敷的厚度为 的苯并环丁烯。 

所述无机绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积，工艺参数为：功率2500W～4500W，气压1000mT～3000mT，SiH₄流量500sccm～900sccm，NH₃流量2000sccm～4000sccm，N₂流量15000sccm～35000sccm。 

在上述技术方案基础上，所述数据线的厚度为 所述数据线上形成有具有绝缘性和感光性且具有平坦表面的第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层上形成有使薄膜晶体管的漏电极与像素电极连接的连接过 孔。进一步地，所述第二有机绝缘层的厚度为 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上涂敷具有平坦表面的第一有机绝缘层，之后沉积无机绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形； 

步骤3、在完成步骤2的基板上形成包括连接过孔和像素电极的图形，所述像素电极通过所述连接过孔与漏电极连接。 

所述栅线的厚度为 所述数据线的厚度为 所述第一有机绝缘层的厚度为 所述无机绝缘层的厚度为 

所述步骤2包括：