[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效

申请号：	200910077349.4	申请日：	2009-02-18
公开（公告）号：	CN101807585A	公开（公告）日：	2010-08-18
发明（设计）人：	刘翔;林承武;陈旭;谢振宇;张文余	申请（专利权）人：	北京京东方光电科技有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/02;H01L21/768;C23C16/22;G02F1/1362
代理公司：	北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205	代理人：	曲鹏
地址：	100176 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	tft lcd 阵列及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线与数据线之间形成有消除段差的第一有机绝缘层；所述第一有机绝缘层上形成有用于改善半导体层界面特性的无机绝缘层，所述数据线形成在所述无机绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅线的厚度为所述第一有机绝缘层为以旋涂方式涂敷的厚度为的苯并环丁烯。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度为

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述无机绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积，工艺参数为：功率2500W～ 4500W，气压1000mT～3000mT，SiH₄流量500sccm～900sccm，NH₃流量 2000sccm～4000sccm，N₂流量15000sccm～35000sccm。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述数据线的厚度为所述数据线上形成有具有绝缘性和感光性且具有平坦表面的第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层上形成有使薄膜晶体管的漏电极与像素电极连接的连接过孔。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二有机绝缘层的厚度为

7.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上涂敷具有平坦表面的第一有机绝缘层，之后沉积无机绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

步骤3、在完成步骤2的基板上形成包括连接过孔和像素电极的图形，所述像素电极通过所述连接过孔与漏电极连接。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述栅线的厚度为

9.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述数据线的厚度为

10.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一有机绝缘层的厚度为

11.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度为

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