[发明专利]可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法有效

专利信息
申请号: 200910064011.5 申请日: 2009-01-06
公开(公告)号: CN101570890A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 刘朝轩 申请(专利权)人: 刘朝轩
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/14;C01B33/035
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471000河南省洛阳市西工区上*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法,属于西门子法生产多晶硅过程中的硅芯搭接方法;首先拉制出所需长度的两端带硅芯圆球体(1)的横硅芯(2);在所述的横硅芯(2)两端的硅芯圆球体(1)上钻出插孔或插槽(6);将所述的竖硅芯(3)上端研磨出与硅芯圆球体(1)上钻出的插孔或插槽(6)相匹配的形状;将所述的竖硅芯(3)上端插入横硅芯(2)两端硅芯圆球体(1)上的插孔或插槽(6);本发明使所搭接硅芯在搭接处有比较大的接触面,这样就使其具有较好的导电性能,进而能在多晶硅生产中提高多晶硅的品质。再就是采用孔式搭接技术能大大提高其牢固度,能够避免在生产过程中硅芯倒伏。
搜索关键词: 有效 提高 接触 面积 减小 电阻 孔式硅芯搭接 方法
【主权项】:
1、一种可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法;其特征在于:本发明的具体步骤为;1)、首先拉制出所需长度的两端带硅芯圆球体(1)的横硅芯(2);2)、在所述的横硅芯(2)两端的硅芯圆球体(1)上钻出插孔或插槽(6);3)、将所述的竖硅芯(3)上端研磨出与硅芯圆球体(1)上钻出的插孔或插槽(6)相匹配的形状;4)、将所述的竖硅芯(3)上端插入横硅芯(2)两端硅芯圆球体(1)上的插孔或插槽(6),并确认是否牢固,在确认竖硅芯(3)上端与横硅芯(2)两端硅芯圆球体(1)上的插孔或插槽(6)连接牢固后待用;5)、将所述连接牢固的竖硅芯(3)、横硅芯(2)连接体的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上,电极分别接直流电源的正负极,然后对硅芯进行加热,加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻,向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅,进行还原反应;6)、当所需的多晶硅在硅芯表面生成硅芯,然后取出成品硅芯便完成了一次所述的硅芯加工过程;7)、重复上一步骤,实现多次多晶硅的还原过程。
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