[发明专利]可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法有效

专利信息
申请号: 200910064011.5 申请日: 2009-01-06
公开(公告)号: CN101570890A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 刘朝轩 申请(专利权)人: 刘朝轩
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/14;C01B33/035
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471000河南省洛阳市西工区上*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 有效 提高 接触 面积 减小 电阻 孔式硅芯搭接 方法
【权利要求书】:

1.一种可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法,其特征在于:具体步骤为;

1)、首先拉制出所需长度的两端带硅芯圆球体(1)的横硅芯(2);

2)、在所述的横硅芯(2)两端的硅芯圆球体(1)上钻出插孔或插槽(6);

3)、将竖硅芯(3)上端研磨出与硅芯圆球体(1)上钻出的插孔或插槽(6)相匹配的形状;

4)、将所述的竖硅芯(3)上端插入横硅芯(2)两端硅芯圆球体(1)上的插孔或插槽(6),并确认是否牢固,在确认竖硅芯(3)上端与横硅芯(2)两端硅芯圆球体(1)上的插孔或插槽(6)连接牢固后待用;

5)、将所述连接牢固的竖硅芯(3)、横硅芯(2)连接体的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上,电极分别接直流电源的正负极,然后对硅芯进行加热,加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻,向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅,进行还原反应;

6)、在硅芯表面生成所需的多晶硅后,取出成品硅芯便完成一次硅芯加工过程;

7)、重复上一步骤,实现多次多晶硅的还原过程。

2.如权利要求1所述的可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法,其特征在于:横硅芯(2)两端的硅芯圆球体(1)与横硅芯(2)设置为一体。

3.如权利要求1所述的可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法,其特征在于:在硅芯圆球体(1)设置的插孔或插槽(6)与竖硅芯(3)上端为紧密配合。

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