[发明专利]制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法无效
| 申请号： | 200910056733.6 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101993037A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制造集成电路器件的纳米晶硅结构的方法，所述集成电路器件例如为存储器、动态随机存取存储器、闪存、只读存储器、微处理器、数字信号处理器、专用集成电路。在特定实施例中，本发明包括提供包括表面区域的半导体衬底。根据特定实施例，该方法包括形成覆盖表面区域的绝缘层(例如，二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)。该方法包括形成预定厚度的覆盖绝缘层的非晶硅材料，该预定厚度小于20纳米。该方法包括使非晶硅材料经过热处理工艺，以促使形成来自小于20纳米的厚度的非晶硅材料的多个纳米晶硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法，所述方法包括：提供包括表面区域的半导体衬底；形成覆盖所述表面区域的绝缘层；形成预定厚度的覆盖所述绝缘层的非晶硅材料，所述预定厚度小于20纳米；对非晶硅材料进行热处理工艺，使从小于20纳米厚度的非晶硅材料形成多个纳米晶硅结构。
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