[发明专利]制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法无效
| 申请号： | 200910056733.6 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101993037A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 纳米 结构 方法 | ||
1.一种制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法，所述方法包括：
提供包括表面区域的半导体衬底；
形成覆盖所述表面区域的绝缘层；
形成预定厚度的覆盖所述绝缘层的非晶硅材料，所述预定厚度小于20纳米；
对非晶硅材料进行热处理工艺，使从小于20纳米厚度的非晶硅材料形成多个纳米晶硅结构。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层是高K材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中，通过SiH4气体形成所述非晶硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其中，通过Si2H6气体形成所述非晶硅层。
5.如权利要求1所述的方法，其中，通过Si3H4气体形成所述非晶硅层。
6.如权利要求1所述的方法，其中，通过溅射工艺形成所述非晶硅层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅的形成被保持在真空环境下。
8.如权利要求1所述的方法，其中，在所述非晶硅被保持在惰性环境中的同时提供热处理工艺。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个纳米晶硅结构被设置在动态随机存取存储器电容器或闪存单元或电容器结构中。
10.如权利要求1所述的方法，其中，通过炉管提供所述热处理工艺。
11.如权利要求1所述的方法，其中，通过快速热退火提供所述热处理工艺。
12.如权利要求1所述的方法，其中，在高于650摄氏度的温度下在少于10分钟的时段期间提供所述热处理工艺。
13.如权利要求1所述的方法，其中，在低于600摄氏度的温度下提供所述非晶硅材料的形成。
14.一种制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法，所述方法包括：
提供包括表面区域的半导体衬底；
形成覆盖所述表面区域的绝缘层，所述绝缘层的特征在于高K介电常数；形成预定厚度的覆盖所述绝缘层的非晶硅材料，该预定厚度小于20纳米，在形成非晶硅材料过程中，保持450～600摄氏度的温度；
对非晶硅材料进行热处理工艺，使从小于20纳米厚度的非晶硅材料形成多个纳米晶硅结构。
15.如权利要求14所述的方法，其中，通过SiH4气体形成所述非晶硅层。
16.如权利要求14所述的方法，其中，通过Si2H6气体形成所述非晶硅层。
17.如权利要求14所述的方法，其中，通过Si3H4气体形成所述非晶硅层。
18.如权利要求14所述的方法，其中，通过溅射工艺形成所述非晶硅层。
19.如权利要求14所述的方法，其中，所述非晶硅层的形成被保持在真空环境下。
20.如权利要求14所述的方法，其中，在还原环境中提供所述热处理工艺。
21.如权利要求20所述的方法，其中，所述还原环境包括氢气。
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