[发明专利]一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构

摘要

本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。

主权项

一种用于制造高电压集成电路器件的方法，该方法包括：提供一个半导体衬底，包含一个表面区域，所述表面区域具有一个接触区域，所述接触区域被耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域；形成一个等离子体增强氧化物，上覆于所述表面区域；形成一个停止层，上覆于所述等离子体增强氧化物；形成一个第一接触开口，贯穿所述停止层的一部分和贯穿所述等离子体增强氧化物层的一部分，所述第一开口具有一个宽度和深度，所述宽度的尺寸小于1微米；暴露所述接触区域的一部分；形成一个金属硅化物层，上覆于至少所述接触区域，以形成金属硅化接触区域；形成一个层间电介质层，上覆于所述金属硅化接触区域，以填充所述接触开口并提供上覆于所述停止层和层间电介质层表面区域的材料厚度；形成一个掩蔽层，上覆于所述表面区域；在上覆于所述金属硅化接触区域附近的所述掩蔽层中形成一个开口，所述开口可以与所述停止层的一部分重叠；图案化所述层间电介质层，以在所述层间电介质层中贯穿所述材料厚度的一部分形成第二开口，来暴露所述金属硅化接触区域的一部分和暴露所述停止层的一部分；在图案化所述层间电介质层时，保持所述源极/漏极区域不受任何刻蚀损伤；以及形成一个接触插塞层，上覆于所述金属硅化接触区域的所述暴露部分和所述停止层的所述暴露部分。