[发明专利]一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法无效
| 申请号： | 200910055813.X | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101989644A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;万海军;周鹏;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电阻 随机 存储器 数据 保持 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，所述电阻随机存储器包括下电极、金属氧化物存储介质层、上电极，其特征在于，在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910055813.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有设计用于高压操作的操作参数和几何形状的电离计
- 下一篇：压力开关
