[发明专利]一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法

权利要求书

1.一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，所述电阻随机存储器包括下电极、金属氧化物存储介质层、上电极，其特征在于，在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的上电极和金属氧化物存储介质层之间插入一层介质薄膜层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的下电极和金属氧化物存储介质层之间插入一层介质薄膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的上电极和金属氧化物存储介质层之间插入第一层介质薄膜层，同时在所述电阻随机存储器的下电极和金属氧化物存储介质层之间均插入第二层介质薄膜层。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化物或金属氮氧化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素不同于金属氧化物存储介质层中的金属元素。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化物或金属氮氧化物，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述上电极的金属元素相同。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过薄膜沉积的方法形成。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过金属氧化物存储介质层中的氧元素扩散至上电极使上电极氧化形成。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化物或金属氮氧化物，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述下电极的金属元素相同。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过薄膜沉积的方法生形成。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过金属氧化物存储介质层中的氧元素扩散至下电极使下电极氧化形成。

13.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一层介质薄膜层为金属氧化物或金属氮氧化物，其金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述上电极的金属元素相同；所述第二层介质薄膜层为金属氧化物或金属氮氧化物，其金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述下电极的金属元素相同。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过薄膜沉积的方法生形成。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过金属氧化物存储介质层中的氧元素扩散至电极使下电极或者下电极氧化形成。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物存储介质层为铜的氧化物、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、锌的氧化物、钨的氧化物之一。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上电极材料是Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金之一，或者是Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金中任意两者组合的复合层材料。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下电极材料是Cu、W、Ni、Zr、Ta、TaN、Ti、TiN、Zn、Al之一。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜介质层的厚度范围为1纳米到20纳米。