[发明专利]干法刻蚀连接孔的方法无效
| 申请号： | 200910053812.1 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101930917A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种干法刻蚀连接孔的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low-K绝缘材料层和顶层Cap layer，该方法包括：在所述Cap layer上涂布光阻层；图案化所述光阻层；以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述Cap layer和Low-K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；对形成连接孔后而暴露出的顶层进行表面处理(surface treatment)，在顶层与Low-K绝缘材料层的连接处形成平滑内侧壁。采用该方法有效解决了连接孔弓形轮廓的问题，使得所形成的连接孔具有较好的轮廓，可大大提高半导体元器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀连接孔的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low K绝缘材料层和顶层Cap layer，其特征在于，该方法包括：在所述Cap layer上涂布光阻层；图案化所述光阻层；以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述Cap layer和Low K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；对形成连接孔后暴露出的顶层进行表面处理surface treatment，在顶层与Low K绝缘材料层的连接处形成平滑内侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910053812.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
