[发明专利]干法刻蚀连接孔的方法无效
| 申请号： | 200910053812.1 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101930917A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 连接 方法 | ||
1.一种干法刻蚀连接孔的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low-K绝缘材料层和顶层Cap layer，其特征在于，该方法包括：
在所述Cap layer上涂布光阻层；
图案化所述光阻层；
以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述Cap layer和Low-K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；
对形成连接孔后暴露出的顶层进行表面处理surface treatment，在顶层与Low-K绝缘材料层的连接处形成平滑内侧壁。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面处理采用刻蚀气体二氟甲烷CH2F2和稀释气体Dilute gas一氧化碳CO相结合，对所述顶层进行等离子体刻蚀。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述CH2F2与CO的比例为1∶12～1∶17。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述CH2F2流量为10～30标准立方厘米/分钟sccm。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对顶层进行表面处理在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内的压力为100～200毫托。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对顶层进行表面处理在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内使用的源功率为800～1500瓦。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对顶层进行表面处理在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内使用的偏置功率为零。
8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对顶层进行表面处理的时间为5～15秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
