[发明专利]检测栅氧化层完整性的方法无效
| 申请号： | 200910053492.X | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101929982A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 杨斯元;简维廷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/92 | 分类号： | G01N27/92 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测栅氧化层完整性的方法，包括：根据目标显著性水平、目标失效数以及目标缺陷密度，获得最小样本数；以大于或等于所述最小样本数的被测芯片样本数，进行斜坡电压测试；对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估。所述检测栅氧化层完整性的方法能够获得更为经济和准确的测试结果。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 氧化 完整性 方法 | ||
【主权项】：
一种检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，包括：根据目标显著性水平、目标失效芯片数以及目标缺陷密度，获得最小样本数；以大于或等于所述最小样本数的被测芯片样本数，进行斜坡电压测试；对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估。
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